H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHCR par SK hynix et H5AN4G8NBJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,18 $2,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Organisation de la mémoire 512M x 8 512M x 8
Speed Grade UH (DDR4-2400 class, PC2400) PBC
Tension d'alimentation 1.2 V (VDD) —
Interface DDR4 SSTL12 —
Internal Prefetch 8n —
Boîtier 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) 78-ball FBGA
Type de montage Surface Mount (BGA solder-down) Surface Mount
Operating Case Temperature -40C to +85C (industrial range) —
Extended Temperature Range Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) up to 95C case (with increased refresh)
Lead Free Yes Yes
Sans halogène Yes Yes
Statut RoHS Compliant —
Packaging Suffix -R = Tape and Reel —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
Latence CAS [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] —
Memory Density — 4 Gbit
Type d'interface — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C

Fiches techniques et ressources

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