H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-VKI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-UHCR von SK hynix und H5AN4G8NBJR-VKI von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-VKI
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,18 $1,98
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Speicherorganisation 512M x 8 512M x 8
Speed Grade UH (DDR4-2400 class, PC2400) V (2666)
Versorgungsspannung 1.2 V (VDD) 1.2 V
Schnittstelle DDR4 SSTL12 —
Internal Prefetch 8n —
Gehäuse 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) FBGA-78
Montageart Surface Mount (BGA solder-down) Surface Mount
Operating Case Temperature -40C to +85C (industrial range) —
Extended Temperature Range Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) —
Lead Free Yes —
Halogenfrei Yes —
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Packaging Suffix -R = Tape and Reel —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] [DATA_NEEDED: Refresh specification]
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Datenrate — 2666 Mbps
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Temperature Grade — Industrial (I suffix)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT)
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]

Datenblätter & Ressourcen

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