H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-VKI Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G8NBJR-UHCR por SK hynix e H5AN4G8NBJR-VKI por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ Ativo
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-VKI
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,18 $1,98
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Organização da memória 512M x 8 512M x 8
Speed Grade UH (DDR4-2400 class, PC2400) V (2666)
Tensão de alimentação 1.2 V (VDD) 1.2 V
Interface DDR4 SSTL12 —
Internal Prefetch 8n —
Encapsulamento 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) FBGA-78
Tipo de montagem Surface Mount (BGA solder-down) Surface Mount
Operating Case Temperature -40C to +85C (industrial range) —
Extended Temperature Range Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) —
Lead Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Packaging Suffix -R = Tape and Reel —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Latência CAS [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Taxa de dados — 2666 Mbps
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Temperature Grade — Industrial (I suffix)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT)
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]

Fichas técnicas e recursos

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