H5AN8G4NCJR-XXC vs K4B4G1646D-BYK00 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G4NCJR-xxC von SK hynix und K4B4G1646D-BYK00 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G4NCJR-xxC | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,50 | $7,50 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8Gb | 4 Gb |
| Speicherorganisation | x4 (H5AN8G4NCJR) | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.2V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Datenrate | [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix] | 1600 Mbps |
| Gehäuse | FBGA | 96-ball TFBGA |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | Yes |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Prefetch | 8-bit | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| CAS-Latenz | — | Programmable |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |