H5AN8G4NCJR-XXC vs K4B4G1646D-BYK00 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G4NCJR-xxC от SK hynix и K4B4G1646D-BYK00 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G4NCJR-xxC | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,50 | $7,50 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8Gb | 4 Gb |
| Организация памяти | x4 (H5AN8G4NCJR) | 256M x 16 |
| Напряжение питания | 1.2V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Скорость передачи данных | [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix] | 1600 Mbps |
| Корпус | FBGA | 96-ball TFBGA |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | Yes |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Prefetch | 8-bit | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Задержка CAS | — | Programmable |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |