H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NAFR-RDC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-PBC von SK hynix und H5AN8G6NAFR-RDC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-RDC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,55 $3,05
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
Schnittstellentyp DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh —
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
Gehäuse TFBGA-96 (rectangular) —
Number of Terminals 96 96
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Composition CMOS —
Memory Density — 8 Gb
Versorgungsspannung — 1.2 V
Schnittstelle — DDR4 (JEDEC-standard)
Access Mode — Multi Bank Page Burst
Package Code — TFBGA
Package Shape — Rectangular
Temperature Grade — OTHER (per Partstack listing)
Technology — CMOS
Speed Grade — -RDC (see datasheet for bin timing)
Family — H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC
Max Clock Rate — [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin]

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