H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NAFR-RDC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NAFR-PBC por SK hynix e H5AN8G6NAFR-RDC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-RDC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,55 $3,05
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
Tipo de interface DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh —
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
Encapsulamento TFBGA-96 (rectangular) —
Number of Terminals 96 96
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Status RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Composition CMOS —
Memory Density — 8 Gb
Tensão de alimentação — 1.2 V
Interface — DDR4 (JEDEC-standard)
Access Mode — Multi Bank Page Burst
Package Code — TFBGA
Package Shape — Rectangular
Temperature Grade — OTHER (per Partstack listing)
Technology — CMOS
Speed Grade — -RDC (see datasheet for bin timing)
Family — H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC
Max Clock Rate — [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin]

Fichas técnicas e recursos

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