H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NAFR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR-PBC par SK hynix et H5AN8G6NAFR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-RDC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,55 $3,05
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
Type d'interface DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh —
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
Boîtier TFBGA-96 (rectangular) —
Number of Terminals 96 96
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Statut RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Composition CMOS —
Memory Density — 8 Gb
Tension d'alimentation — 1.2 V
Interface — DDR4 (JEDEC-standard)
Access Mode — Multi Bank Page Burst
Package Code — TFBGA
Package Shape — Rectangular
Temperature Grade — OTHER (per Partstack listing)
Technology — CMOS
Speed Grade — -RDC (see datasheet for bin timing)
Family — H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC
Max Clock Rate — [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin]

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