H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NAFR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-PBC von SK hynix und H5AN8G6NAFR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,55 $6,25
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
Schnittstellentyp DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh [DATA_NEEDED: refresh mode specification]
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
Gehäuse TFBGA-96 (rectangular) FBGA-96 (PBGA96)
Number of Terminals 96 —
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA)
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant
Composition CMOS —
Core Supply Voltage — 1.2 V
Technology — CMOS
Speed Grade — -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering)
Data Rate Class — Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code)
Family — H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR
Application — Main memory (high density, high bandwidth)
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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