H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NAFR-VKC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NAFR-PBC por SK hynix e H5AN8G6NAFR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,55 $6,25
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
Tipo de interface DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh [DATA_NEEDED: refresh mode specification]
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
Encapsulamento TFBGA-96 (rectangular) FBGA-96 (PBGA96)
Number of Terminals 96 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA)
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Status RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant
Composition CMOS —
Core Supply Voltage — 1.2 V
Technology — CMOS
Speed Grade — -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering)
Data Rate Class — Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code)
Family — H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR
Application — Main memory (high density, high bandwidth)
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fichas técnicas e recursos

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