H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NAFR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR-PBC par SK hynix et H5AN8G6NAFR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,55 $6,25
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
Type d'interface DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh [DATA_NEEDED: refresh mode specification]
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
Boîtier TFBGA-96 (rectangular) FBGA-96 (PBGA96)
Number of Terminals 96 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Statut RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant
Composition CMOS —
Core Supply Voltage — 1.2 V
Technology — CMOS
Speed Grade — -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering)
Data Rate Class — Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code)
Family — H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR
Application — Main memory (high density, high bandwidth)
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fiches techniques et ressources

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