H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NDJR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-PBC von SK hynix und H5AN8G6NDJR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G6NAFR-PBC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $3,55 | $35,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| VDD Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V +0.25/-0.125 V | — |
| Schnittstellentyp | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Speed Bins Supported | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) | — |
| Refresh | Auto / Self Refresh | — |
| DLL | DLL ON mode for speed bin operation | — |
| Clock | Differential clock (CK/CK#) | — |
| Gehäuse | TFBGA-96 (rectangular) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS-Status | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Composition | CMOS | — |
| Datenrate | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS-Latenz | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| Eigenschaften | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |