H5AN8G6NAFR-RDC vs MT40A512M16JY-075E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-RDC von SK hynix und MT40A512M16JY-075E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G6NAFR-RDC | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $3,05 | $30,50 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Schnittstelle | DDR4 (JEDEC-standard) | Parallel |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | OTHER (per Partstack listing) | — |
| Technology | CMOS | — |
| RoHS-Status | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant |
| Speed Grade | -RDC (see datasheet for bin timing) | — |
| Family | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC | — |
| Max Clock Rate | [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Speichergröße | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Datenrate | — | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Gehäuse | — | 96-FBGA (8x14) |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Eigenschaften | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |