H5AN8G6NAFR-RDC vs MT40A512M16JY-075E 比較

詳細な並列比較: H5AN8G6NAFR-RDC メーカー: SK hynix および MT40A512M16JY-075E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G6NAFR-RDC MT40A512M16JY-075E
ブランド SK hynix Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.05 $30.50
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
電源電圧 1.2 V —
インターフェース DDR4 (JEDEC-standard) Parallel
Access Mode Multi Bank Page Burst —
Package Code TFBGA —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing) —
Technology CMOS —
RoHS ステータス Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Speed Grade -RDC (see datasheet for bin timing) —
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Max Clock Rate [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
メモリサイズ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
データレート — 2666 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.14V to 1.26V
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
パッケージ — 96-FBGA (8x14)
動作温度範囲 — 0°C to +95°C (TC)
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
特長 — Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain

データシート&リソース

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