H5AN8G6NAFR-UHC vs AS4C512M16D4B-62BCNTR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-UHC von SK hynix und AS4C512M16D4B-62BCNTR von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Aktiv
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR-UHC AS4C512M16D4B-62BCNTR
Marke SK hynix Alliance Memory
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,74 $8,10
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Versorgungsspannung 1.2 V 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Datenrate 2400 MT/s 3200 MT/s
Gehäuse FBGA-96 96-FBGA (7.5x13 mm)
Betriebstemperatur 0°C to +85°C 0°C to 95°C
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Lead-Free Yes Yes
Halogenfrei Yes —
RoHS Compliant Yes —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency] 19 ns
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Refresh Auto self-refresh —
Speichergröße — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Frequency — 1600 MHz
Schnittstelle — Parallel
Montageart — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Revision — Rev.B
RoHS-Status — Compliant

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