H5AN8G6NAFR-UHC vs AS4C512M16D4B-62BCNTR 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NAFR-UHC 제조: SK hynix 및 AS4C512M16D4B-62BCNTR 제조: Alliance Memory. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ 활성
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G6NAFR-UHC AS4C512M16D4B-62BCNTR
브랜드 SK hynix Alliance Memory
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.74 $8.10
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
메모리 구성 512M x 16 512M x 16
공급 전압 1.2 V 1.2 V (1.14V to 1.26V)
데이터 속도 2400 MT/s 3200 MT/s
패키지 FBGA-96 96-FBGA (7.5x13 mm)
동작 온도 0°C to +85°C 0°C to 95°C
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Lead-Free Yes Yes
할로겐 프리 Yes —
RoHS Compliant Yes —
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS Latency] 19 ns
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Refresh Auto self-refresh —
메모리 크기 — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Frequency — 1600 MHz
인터페이스 — Parallel
실장 유형 — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Revision — Rev.B
RoHS 상태 — Compliant

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