H5AN8G6NAFR-UHC vs AS4C512M16D4B-62BCNTR 对比

详细并排对比 H5AN8G6NAFR-UHC 出自 SK hynix 和 AS4C512M16D4B-62BCNTR 出自 Alliance Memory。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ 量产中
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ 量产中

规格对比

参数 H5AN8G6NAFR-UHC AS4C512M16D4B-62BCNTR
品牌 SK hynix Alliance Memory
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $5.74 $8.10
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
存储组织 512M x 16 512M x 16
电源电压 1.2 V 1.2 V (1.14V to 1.26V)
数据速率 2400 MT/s 3200 MT/s
封装 FBGA-96 96-FBGA (7.5x13 mm)
工作温度 0°C to +85°C 0°C to 95°C
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Lead-Free Yes Yes
无卤 Yes —
RoHS Compliant Yes —
CAS 延迟 [DATA_NEEDED: CAS Latency] 19 ns
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Refresh Auto self-refresh —
存储容量 — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Frequency — 1600 MHz
接口 — Parallel
安装类型 — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Revision — Rev.B
RoHS 状态 — Compliant

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