H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NCJR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-UHC von SK hynix und H5AN8G6NCJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NCJR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,74 $3,30
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Speicherorganisation 512M x 16 —
Versorgungsspannung 1.2 V —
Datenrate 2400 MT/s [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix]
Gehäuse FBGA-96 FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA)
Betriebstemperatur 0°C to +85°C 0C to +95C
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
RoHS Compliant Yes —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Refresh Auto self-refresh —
Memory Organization — 8Gb x16 (512M x 16)
Speichergröße — 8 Gbit
Family Data Rate Range — Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Montageart — Surface Mount
Schnittstelle — Parallel, synchronous to both clock edges
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant)
RoHS-Status — Compliant

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