H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NCJR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix e H5AN8G6NCJR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NCJR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,74 $3,30
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organização da memória 512M x 16 —
Tensão de alimentação 1.2 V —
Taxa de dados 2400 MT/s [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix]
Encapsulamento FBGA-96 FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA)
Temperatura de operação 0°C to +85°C 0C to +95C
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
RoHS Compliant Yes —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Refresh Auto self-refresh —
Memory Organization — 8Gb x16 (512M x 16)
Tamanho da memória — 8 Gbit
Family Data Rate Range — Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Tipo de montagem — Surface Mount
Interface — Parallel, synchronous to both clock edges
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant)
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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