H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NCJR-RDC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NCJR-VKC von SK hynix und H5AN8G6NCJR-RDC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-RDC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $60,00 $19,69
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Datenrate 2666 Mbps —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
Betriebstemperatur 0°C to +95°C —
Gehäuse FBGA-96 —
Operating Current (IDD2N) 28 mA —
Operating Current (IDD4R) 45 mA —
Burst Length 8 (BC4) —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Address Bits [DATA_NEEDED: Row Address Bits] —
Column Address Bits [DATA_NEEDED: Column Address Bits] —
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
RoHS Compliant —
Memory Density — 8 Gb (8589934592 bit)
Technology — CMOS
Package Code — TFBGA (PBGA96)
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
Montageart — Surface Mount
Temperature Grade — OTHER
Data Rate Family — [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps]
Supply Voltage Class — [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin]
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin]
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Write Leveling — Yes
CRC — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
RoHS-Status — Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet)

Datenblätter & Ressourcen

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