H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NCJR-RDC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NCJR-VKC 제조: SK hynix 및 H5AN8G6NCJR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G6NCJR-RDC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $60.00 | $19.69 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C | — |
| 패키지 | FBGA-96 | — |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Memory Density | — | 8 Gb (8589934592 bit) |
| Technology | — | CMOS |
| Package Code | — | TFBGA (PBGA96) |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| Temperature Grade | — | OTHER |
| Data Rate Family | — | [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps] |
| Supply Voltage Class | — | [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin] |
| 동작 온도 범위 | — | [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin] |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| RoHS 상태 | — | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet) |