H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NCJR-RDC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NCJR-VKC от SK hynix и H5AN8G6NCJR-RDC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G6NCJR-RDC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $60,00 | $19,69 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C | — |
| Корпус | FBGA-96 | — |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Memory Density | — | 8 Gb (8589934592 bit) |
| Technology | — | CMOS |
| Package Code | — | TFBGA (PBGA96) |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Temperature Grade | — | OTHER |
| Data Rate Family | — | [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps] |
| Supply Voltage Class | — | [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin] |
| Диапазон рабочих температур | — | [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin] |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Статус RoHS | — | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet) |