H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G8NDJR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NCJR-VKC von SK hynix und H5AN8G8NDJR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $60,00 | $24,50 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 1G x 8 |
| Datenrate | 2666 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Gehäuse | FBGA-96 | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 (typical) |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |