H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G8NDJR Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix e H5AN8G8NDJR por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $60,00 | $24,50 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 512M x 16 | 1G x 8 |
| Taxa de dados | 2666 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Encapsulamento | FBGA-96 | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 (typical) |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |