H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G8NDJR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NCJR-VKC par SK hynix et H5AN8G8NDJR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $60,00 | $24,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 1G x 8 |
| Débit de données | 2666 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Boîtier | FBGA-96 | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 (typical) |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |