H5AN8G6NDJR-XNC vs H5AN8G8NDJR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NDJR-XNC von SK hynix und H5AN8G8NDJR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G6NDJR-XNC | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $55,68 | $24,50 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Gehäuse | FBGA-96 (13x7.5 mm) | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 1G x 8 |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to +95°C (Tc) |
| CAS-Latenz | — | 22 (typical) |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |