H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G085WB-BICR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NDJR-XNC von SK hynix und K4A8G085WB-BICR von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $55,68 | $4,25 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | — |
| Gehäuse | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 1G x 8 |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Pin-Anzahl | — | 78 |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| Betriebstemperaturbereich | — | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |