H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G085WB-BICR Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NDJR-XNC от SK hynix и K4A8G085WB-BICR от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G6NDJR-XNC | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $55,68 | $4,25 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x16 | — |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | — |
| Корпус | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Организация памяти | — | 1G x 8 |
| Напряжение питания | — | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Число выводов | — | 78 |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| Диапазон рабочих температур | — | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |