H5AN8G6NDJR-XNC vs K4A8G085WB-BICR Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NDJR-XNC por SK hynix y K4A8G085WB-BICR por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN8G6NDJR-XNC K4A8G085WB-BICR
Marca SK hynix Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $55,68 $4,25
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gb —
Memory Organization 512M x16 —
Velocidad de datos 3200 Mbps 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (max 1.26 V) —
Encapsulado FBGA-96 (13x7.5 mm) 78-ball FBGA
Number of Terminals 96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Input/Output Type COMMON —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Sin halógenos Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Density — 8 Gb
Organización de memoria — 1G x 8
Tensión de alimentación — 1.2 V (VDD/VDDQ)
Number of Banks — 16
Refresh Cycles — 8192
Recuento de pines — 78
Tipo de montaje — Surface Mount
Temperature Grade — Industrial (I-grade)
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix]
Die / Process — Samsung 8Gb B-die DDR4
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Estado RoHS — Compliant
Refresh Management — Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported

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