H5AN8G8NCJR-UHC vs H5AN8G8NCJR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G8NCJR-UHC von SK hynix und H5AN8G8NCJR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,88 $28,13
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile)
Density 8 Gb —
Speicherorganisation 1G x 8 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class)
Gehäuse FBGA-78 FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
RoHS Code Yes —
REACH Compliance Yes (per distributor record) —
Lead-Free Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) —
Halogenfrei Yes —
Part Life Cycle Code Active —
Access Type Synchronous, both clock edges (DDR) —
Memory Configuration Bank-group architecture DDR4 —
Die Revision CJR (C-die family) —
Manufacturer SK hynix Inc. —
Speichergröße — 8 Gbit
Memory Organization — 1G x 8
Datenrate — 2666 Mbps/pin
Clock Frequency — 1.6 GHz
Operating Current (typ) — 30 mA
Standby Current (typ) — 3 mA
Schnittstelle — Parallel (DDR4)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
RoHS-Status — Compliant
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh period]

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