H5AN8G8NCJR-UHC vs H5AN8G8NCJR-VKC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G8NCJR-UHC por SK hynix e H5AN8G8NCJR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,88 $28,13
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile)
Density 8 Gb —
Organização da memória 1G x 8 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class)
Encapsulamento FBGA-78 FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
RoHS Code Yes —
REACH Compliance Yes (per distributor record) —
Lead-Free Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) —
Livre de halogênio Yes —
Part Life Cycle Code Active —
Access Type Synchronous, both clock edges (DDR) —
Memory Configuration Bank-group architecture DDR4 —
Die Revision CJR (C-die family) —
Manufacturer SK hynix Inc. —
Tamanho da memória — 8 Gbit
Memory Organization — 1G x 8
Taxa de dados — 2666 Mbps/pin
Clock Frequency — 1.6 GHz
Operating Current (typ) — 30 mA
Standby Current (typ) — 3 mA
Interface — Parallel (DDR4)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Status RoHS — Compliant
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh period]

Fichas técnicas e recursos

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