H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G8NCJR-VKC von SK hynix und H5AN8G8NCJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $28,13 $2,88
Speichertyp DDR4 SDRAM (volatile) DDR4 SDRAM
Speichergröße 8 Gbit —
Memory Organization 1G x 8 —
Datenrate 2666 Mbps/pin —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) 1.2 V
Operating Current (typ) 30 mA —
Standby Current (typ) 3 mA —
Betriebstemperatur 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gehäuse FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) FBGA-78
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA)
Schnittstelle Parallel (DDR4) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
RoHS-Status Compliant —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh period] —
Density — 8 Gb
Speicherorganisation — 1G x 8
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
RoHS Code — Yes
REACH Compliance — Yes (per distributor record)
Lead-Free — Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free)
Halogenfrei — Yes
Part Life Cycle Code — Active
Access Type — Synchronous, both clock edges (DDR)
Memory Configuration — Bank-group architecture DDR4
Die Revision — CJR (C-die family)
Manufacturer — SK hynix Inc.

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