H5AN8G8NCJR-VKC vs H5AN8G8NCJR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G8NCJR-VKC por SK hynix e H5AN8G8NCJR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $28,13 $2,88
Tipo de memória DDR4 SDRAM (volatile) DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit —
Memory Organization 1G x 8 —
Taxa de dados 2666 Mbps/pin —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) 1.2 V
Operating Current (typ) 30 mA —
Standby Current (typ) 3 mA —
Temperatura de operação 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulamento FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) FBGA-78
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA)
Interface Parallel (DDR4) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
Status RoHS Compliant —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh period] —
Density — 8 Gb
Organização da memória — 1G x 8
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
RoHS Code — Yes
REACH Compliance — Yes (per distributor record)
Lead-Free — Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free)
Livre de halogênio — Yes
Part Life Cycle Code — Active
Access Type — Synchronous, both clock edges (DDR)
Memory Configuration — Bank-group architecture DDR4
Die Revision — CJR (C-die family)
Manufacturer — SK hynix Inc.

Fichas técnicas e recursos

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