H5AN8G8NCJR-XNC vs H5AN8G8NCJR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G8NCJR-XNC von SK hynix und H5AN8G8NCJR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G8NCJR-XNC H5AN8G8NCJR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $30,69 $28,13
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile)
Speichergröße 8 Gbit 8 Gbit
Speicherorganisation 1 Gb x 8 —
Datenrate 3200 Mbps (DDR4-3200) 2666 Mbps/pin
Clock Frequency 1.6 GHz 1.6 GHz
Versorgungsspannung 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) —
Gehäuse 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Betriebstemperatur 0 C to +85 C 0C to +85C
Montageart Surface Mount Surface Mount
Schnittstelle DDR4 (8-bit data interface) Parallel (DDR4)
Architecture Bank-group based DDR4 —
Refresh Auto self-refresh —
Precharge Auto precharge —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
Calibration ZQ calibration, write leveling —
Error Handling CRC function —
Reset Asynchronous reset —
Data Mask Data mask function —
Current - Operating 39 mA —
Current - Standby 30 mA —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes —
Memory Organization — 1G x 8
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class)
Operating Current (typ) — 30 mA
Standby Current (typ) — 3 mA
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh period]

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