H5ANAG4NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG4NBJR-UHC von SK hynix und H5AN4G8NBJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG4NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie DRAM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,09 $3,18
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Speicherorganisation 256M x16 512M x 8
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Clock / Data Rate 1.6 GHz —
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Betriebstemperatur -40C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Schnittstelle CMOS, DDR4 (double data rate) DDR4 (JEDEC)
Data Mask (DM) Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant (Rohs Code: Yes)
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
Datenrate — 2400 Mbps (PC2400)
Versorgungsspannung — 1.2 V
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern