H5ANAG4NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG4NBJR-UHC por SK hynix e H5AN4G8NBJR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG4NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria DRAM Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,09 $3,18
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Organização da memória 256M x16 512M x 8
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Clock / Data Rate 1.6 GHz —
Encapsulamento FBGA-96 (PBGA96) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Temperatura de operação -40C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Interface CMOS, DDR4 (double data rate) DDR4 (JEDEC)
Data Mask (DM) Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant (Rohs Code: Yes)
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
Taxa de dados — 2400 Mbps (PC2400)
Tensão de alimentação — 1.2 V
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]

Fichas técnicas e recursos

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