H5ANAG4NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG4NBJR-UHC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG4NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,09 $3,18
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x16 512M x 8
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Clock / Data Rate 1.6 GHz —
Boîtier FBGA-96 (PBGA96) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Température de fonctionnement -40C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Interface CMOS, DDR4 (double data rate) DDR4 (JEDEC)
Data Mask (DM) Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant (Rohs Code: Yes)
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
Débit de données — 2400 Mbps (PC2400)
Tension d'alimentation — 1.2 V
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]

Fiches techniques et ressources

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