H5ANAG4NBJR-VKC vs H5ANAG4NBJR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG4NBJR-VKC von SK hynix und H5ANAG4NBJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG4NBJR-VKC H5ANAG4NBJR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5ANAG4NBJR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5ANAG4NBJR-VKC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG4NBJR-VKC H5ANAG4NBJR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie DRAM DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $14,40 $8,09
Product Type DDR4 SDRAM —
Density 16 Gb 4 Gbit
Gehäuse FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) FBGA-96 (PBGA96)
Betriebstemperaturbereich -40 C to +95 C (case, industrial with auto self-refresh) —
Speed Grade VKC (commercial speed bin - see SK hynix part number decoder) —
Datenrate [DATA_NEEDED: data rate (MT/s) for -VKC bin] —
VDD Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] —
VDDQ Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDDQ supply voltage] —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC / CA Parity Yes —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free status] —
Halogenfrei [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
RoHS-Status Compliant (per distributor listing) Compliant
Speichertyp — DDR4 SDRAM
Speicherorganisation — 256M x16
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Clock / Data Rate — 1.6 GHz
Betriebstemperatur — -40C to +95C
Schnittstelle — CMOS, DDR4 (double data rate)
Data Mask (DM) — Yes
On-Die Termination (ODT) — Dynamic ODT
CRC Function — Yes
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail]

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