H5ANAG4NBJR-VKC vs H5ANAG4NBJR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG4NBJR-VKC par SK hynix et H5ANAG4NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG4NBJR-VKC H5ANAG4NBJR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5ANAG4NBJR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5ANAG4NBJR-VKC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG4NBJR-VKC H5ANAG4NBJR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie DRAM DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $14,40 $8,09
Product Type DDR4 SDRAM —
Density 16 Gb 4 Gbit
Boîtier FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) FBGA-96 (PBGA96)
Plage de température de fonctionnement -40 C to +95 C (case, industrial with auto self-refresh) —
Speed Grade VKC (commercial speed bin - see SK hynix part number decoder) —
Débit de données [DATA_NEEDED: data rate (MT/s) for -VKC bin] —
VDD Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] —
VDDQ Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDDQ supply voltage] —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC / CA Parity Yes —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free status] —
Sans halogène [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Statut RoHS Compliant (per distributor listing) Compliant
Type de mémoire — DDR4 SDRAM
Organisation de la mémoire — 256M x16
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Clock / Data Rate — 1.6 GHz
Température de fonctionnement — -40C to +95C
Interface — CMOS, DDR4 (double data rate)
Data Mask (DM) — Yes
On-Die Termination (ODT) — Dynamic ODT
CRC Function — Yes
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail]

Fiches techniques et ressources

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