H5ANAG4NBJR-VKC vs H5ANAG4NBJR-UHC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG4NBJR-VKC 제조: SK hynix 및 H5ANAG4NBJR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5ANAG4NBJR-VKC H5ANAG4NBJR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5ANAG4NBJR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5ANAG4NBJR-VKC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5ANAG4NBJR-VKC H5ANAG4NBJR-UHC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 DRAM DRAM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $14.40 $8.09
Product Type DDR4 SDRAM —
Density 16 Gb 4 Gbit
패키지 FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) FBGA-96 (PBGA96)
동작 온도 범위 -40 C to +95 C (case, industrial with auto self-refresh) —
Speed Grade VKC (commercial speed bin - see SK hynix part number decoder) —
데이터 속도 [DATA_NEEDED: data rate (MT/s) for -VKC bin] —
VDD Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] —
VDDQ Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDDQ supply voltage] —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC / CA Parity Yes —
Auto Self-Refresh Yes Yes
실장 유형 Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free status] —
할로겐 프리 [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
RoHS 상태 Compliant (per distributor listing) Compliant
메모리 유형 — DDR4 SDRAM
메모리 구성 — 256M x16
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Clock / Data Rate — 1.6 GHz
동작 온도 — -40C to +95C
인터페이스 — CMOS, DDR4 (double data rate)
Data Mask (DM) — Yes
On-Die Termination (ODT) — Dynamic ODT
CRC Function — Yes
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail]

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청