H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCMR-XNC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NAMR-UHC von SK hynix und H5ANAG6NCMR-XNC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCMR-XNC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,50 $31,40
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Volatile DRAM)
Memory Density 16 Gbit (2 GB) —
Speicherorganisation 1G x 16 —
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power Normal Power
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96
Montageart Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) [DATA_NEEDED: refresh rate]
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200]
Schnittstellentyp Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS Compliant
Lebenszyklusstatus Active production —
Speichergröße — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Datenrate — 3200 Mbps/pin
Technology — CMOS
Schnittstelle — Parallel
Speed Grade — XN (3200)
Product Status — Active
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datenblätter & Ressourcen

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