H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCMR-XNC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix e H5ANAG6NCMR-XNC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCMR-XNC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,50 $31,40
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Volatile DRAM)
Memory Density 16 Gbit (2 GB) —
Organização da memória 1G x 16 —
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power Normal Power
Encapsulamento FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96
Tipo de montagem Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) [DATA_NEEDED: refresh rate]
Latência CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200]
Tipo de interface Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS Compliant
Status do ciclo de vida Active production —
Tamanho da memória — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Taxa de dados — 3200 Mbps/pin
Technology — CMOS
Interface — Parallel
Speed Grade — XN (3200)
Product Status — Active
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fichas técnicas e recursos

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