H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCMR-XNC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NAMR-UHC par SK hynix et H5ANAG6NCMR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCMR-XNC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,50 $31,40
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Volatile DRAM)
Memory Density 16 Gbit (2 GB) —
Organisation de la mémoire 1G x 16 —
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power Normal Power
Boîtier FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96
Type de montage Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) [DATA_NEEDED: refresh rate]
Latence CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200]
Type d'interface Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS Compliant
Statut du cycle de vie Active production —
Taille de mémoire — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Débit de données — 3200 Mbps/pin
Technology — CMOS
Interface — Parallel
Speed Grade — XN (3200)
Product Status — Active
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fiches techniques et ressources

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