H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCR-RDC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NAMR-UHC von SK hynix und H5ANAG6NCR-RDC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCR-RDC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,50 $72,10
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) —
Speicherorganisation 1G x 16 1G x 16
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96) 96-ball FBGA
Montageart Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] —
Schnittstellentyp Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Lebenszyklusstatus Active production —
Speichergröße — 16 Gb (2 GB)
Datenrate — 3200 Mbps (PC4-25600 class)
Package Body — Rectangular, 8 mm width
Maximum Standby Current — 0.074 A
Number of Terminals (Balls) — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: Refresh Interval]

Datenblätter & Ressourcen

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