H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NAMR-UHC par SK hynix et H5ANAG6NCR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCR-RDC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,50 $72,10
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) —
Organisation de la mémoire 1G x 16 1G x 16
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
Boîtier FBGA-96 (PBGA96) 96-ball FBGA
Type de montage Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] —
Type d'interface Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Statut du cycle de vie Active production —
Taille de mémoire — 16 Gb (2 GB)
Débit de données — 3200 Mbps (PC4-25600 class)
Package Body — Rectangular, 8 mm width
Maximum Standby Current — 0.074 A
Number of Terminals (Balls) — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: Refresh Interval]

Fiches techniques et ressources

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