H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG8NAMR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NAMR-UHC von SK hynix und H5ANAG8NAMR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,50 $2,15
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) —
Speicherorganisation 1G x 16 2G x 8
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96) FBGA-78
Montageart Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) Self-refresh and auto-refresh (DDR4)
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] —
Schnittstellentyp Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free FBGA package)
Lebenszyklusstatus Active production —
Manufacturer — SK Hynix
Density — 16 Gbit
Datenrate — DDR4-2400 (2400 MT/s)
Versorgungsspannung — 1.2 V
Schnittstelle — Parallel, DDR4
Bank Group Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Applications — Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules

Datenblätter & Ressourcen

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