H5ANAG6NBJR-PBC vs H5ANAG6NBJR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NBJR-PBC von SK hynix und H5ANAG6NBJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Aktiv
SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,45 $8,09
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) 4 Gb
Versorgungsspannung 1.2 V —
Generation Max Data Rate 3200 MT/s (family max) —
Gehäuse FBGA-96 PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA)
Montageart Surface Mount —
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes Supported
On-Chip Termination Dynamic ODT Dynamic ODT
ZQ Calibration Yes Supported
Write Leveling Yes Supported
CRC Function Yes —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature] -40C to +95C
Speed Bin (PBC) [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] —
Speicherorganisation [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] 256M x 16
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS Status] RoHS Compliant
Schnittstelle — DDR4 (CMOS)
Package Dimensions — 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96)
Access Mode — Multi Bank, Page Burst
Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask — Supported (DM function)
CRC — Supported
Supply Voltage Class — DDR4 (1.2 V class)
REACH Compliance — Compliant
ECCN — EAR99
HTS Code — 8542.32.00.36
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Max Data Rate — [DATA_NEEDED: Max Data Rate]

Datenblätter & Ressourcen

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