H5ANAG6NBJR-PBC vs H5ANAG6NBJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-PBC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NBJR-PBC | H5ANAG6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,45 | $8,09 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb (2 GB) | 4 Gb |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Generation Max Data Rate | 3200 MT/s (family max) | — |
| Boîtier | FBGA-96 | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Supported |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| Write Leveling | Yes | Supported |
| CRC Function | Yes | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | -40C to +95C |
| Speed Bin (PBC) | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] | — |
| Organisation de la mémoire | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] | 256M x 16 |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | RoHS Compliant |
| Interface | — | DDR4 (CMOS) |
| Package Dimensions | — | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) |
| Access Mode | — | Multi Bank, Page Burst |
| Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| Data Mask | — | Supported (DM function) |
| CRC | — | Supported |
| Supply Voltage Class | — | DDR4 (1.2 V class) |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| ECCN | — | EAR99 |
| HTS Code | — | 8542.32.00.36 |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Max Data Rate | — | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] |