H5ANAG6NBJR-PBC vs H5ANAG6NBJR-UHC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NBJR-PBC por SK hynix y H5ANAG6NBJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NBJR-PBC | H5ANAG6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,45 | $8,09 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb (2 GB) | 4 Gb |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Generation Max Data Rate | 3200 MT/s (family max) | — |
| Encapsulado | FBGA-96 | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Supported |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| Write Leveling | Yes | Supported |
| CRC Function | Yes | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | -40C to +95C |
| Speed Bin (PBC) | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] | — |
| Organización de memoria | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] | 256M x 16 |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | RoHS Compliant |
| Interfaz | — | DDR4 (CMOS) |
| Package Dimensions | — | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) |
| Access Mode | — | Multi Bank, Page Burst |
| Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| Data Mask | — | Supported (DM function) |
| CRC | — | Supported |
| Supply Voltage Class | — | DDR4 (1.2 V class) |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| ECCN | — | EAR99 |
| HTS Code | — | 8542.32.00.36 |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Max Data Rate | — | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] |