H5ANAG6NBJR-PBC vs H5ANAG6NCJR-XNC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NBJR-PBC von SK hynix und H5ANAG6NCJR-XNC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Aktiv
SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NCJR-XNC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,45 $84,97
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) —
Versorgungsspannung 1.2 V —
Generation Max Data Rate 3200 MT/s (family max) —
Gehäuse FBGA-96 FBGA-96
Montageart Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Speed Bin (PBC) [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] —
Speicherorganisation [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Speichergröße — 16 Gbit
Memory Organization — 1G x 16
Datenrate — 3200 Mbps/pin
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ)
Schnittstelle — Parallel
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Packaging — Tray

Datenblätter & Ressourcen

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